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Datasheet > VMO580-02T
VMO580-02T PDF预览

VMO580-02T

更新时间： 2024-11-21 20:10:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
Power Field-Effect Transistor, 580A I(D), 200V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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VMO580-02T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：580 A
最大漏极电流 (ID)：580 A最大漏源导通电阻：0.0038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X11
元件数量：1端子数量：11
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

VMO580-02T 数据手册

 浏览型号VMO580-02T的Datasheet PDF文件第2页 
Advanced Technical Information  
MegaMOSTMFET  
Module  
VDSS = 200 V  
VMO 580-02T  
ID25  
= 580 A  
RDS(on) = 3.8 mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
D
G
S
D
KS  
G
KS  
S
Features  
MOSFET  
• MegaMOSTMFET technology  
– low RDSon  
– dv/dt ruggedness  
– intrinsic reverse diode  
• package  
Symbol  
VDSS  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C to 150°C  
200  
±20  
V
V
VGS  
– low inductive current path  
– screw connection to high current  
main terminals  
ID25  
ID80  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
580  
430  
A
A
IF25  
IF80  
(diode) TC = 25°C  
(diode) TC = 80°C  
580  
430  
A
A
– use of non interchangeable  
connectors for auxiliary terminals  
possible  
– Kelvin source terminals for easy drive  
– isolated ceramic base plate  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ. max.  
Applications  
RDSon  
VGSth  
IDSS  
VGS = 10 V;ID = ID80  
3.2  
3
3.8 mΩ  
• converters with high power density for  
– main and auxiliary AC drives of  
electric vehicles  
– DC drives  
– power supplies  
VDS = 20 V;ID = 50 mA  
2
4
V
VDS = 0.8 • VDSS;VGS = 0 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
2.6 mA  
mA  
IGSS  
VGS = ±20 V; VDS = 0 V  
1
µA  
Qg  
Qgs  
Qgd  
2750  
500  
1350  
nC  
nC  
nC  
VGS= 10 V; VDS = 0.5 • VDSS; ID = ID80  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
210  
500  
900  
350  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS= 10 V; VDS = 0.5 • VDSS  
ID = ID80; RG = 1 Ω  
;
VF  
trr  
(diode) IF = 300 A;VGS = 0 V  
0.9  
1.1  
V
(diode) IF = 300 A; -di/dt = 500 A/µs; VDS = ½ VDSS  
600  
ns  
RthJC  
RthJS  
0.05 K/W  
K/W  
with heat transfer paste  
0.07  
© 2000 IXYS All rights reserved  
IXYS Semiconductor GmbH  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
IXYS Corporation  
Edisonstr. 15,  
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627  
D-68623 Lampertheim  
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054  
Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670  
1 - 2  
12

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