VMO650-01F

更新时间： 2024-11-21 08:19:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
2页	51K
描述
HiPerFET-TM MOSFET Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VMO650-01F 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	690 A	最大漏极电流 (ID)：	690 A
最大漏源导通电阻：	0.0018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2780 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VMO650-01F 数据手册

HiPerFET^TM

MOSFET Module

VMO 650-01F V_DSS= 100 V

I_D25= 690 A

R_DS(on)= 1.8 mW

N-Channel Enhancement Mode

E 72873

Preliminary Data

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

100

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 10 kW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

= Drain

S = Source

V_GSM

KS = Kelvin Source G = Gate

I_D25

I_D80

T_S= 25°C

T_S= 80°C

690

520

I_DM

P_D

T_S= 25°C

pulse width limited by T_JM

2780

T_C= 25°C

T_S= 25°C

2500

1740

Features

●

T_J

-40 ...+150

150

°C

International standard package

Direct Copper Bonded Al₂O₃ceramic

base plate

●

T_JM

T_stg

-40 ... +125

●

Isolation voltage 3600 V~

Low R_DS(on)HDMOS^TMprocess

Low package inductance for high

speed switching

V_ISOL

50/60 Hz

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

3000

3600

●

Kelvin Source contact for easy drive

M_d

Mounting torque (M6)

Terminal connection torque (M5)

2.25-2.75/20-25 Nm/lb.in.

2.5-3.7/22-33 Nm/lb.in.

Applications

Weight

typical including screws

250

●

AC motor speed control for electric

vehicles

DC servo and robot drives

Switched-mode and resonant-mode

●

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

●

power supplies

DC choppers

min.

typ. max.

●

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 7 mA

100

V_GS(th)

V_DS= 20 V, I_D= 130 mA

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

±500 nA

●

Easy to mount

Space and weight savings

High power density

Low losses

●

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

3.5 mA

14 mA

●

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

1.8 mW

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与VMO650-01F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VMO80-05P1	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 500V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VMOB70	ETC	获取价格	MOBILE COMMUNICATIONS
VMODBB_RM	ETC	获取价格	Diigiillentt Vmod Breadboard Refference Manuall
VMODCAM_RM	ETC	获取价格	VmodCAMâ¢ Reference Manuall
VMODMIB_RM	ETC	获取价格	VmodMIIBâ¢ Reference Manuall
VMODTFT_RM	ETC	获取价格	VmodTFTâ¢ Reference Manuall
VMP1	ETC	获取价格	HIGHPERFORMANCE CPUs SINGLE-BOARD COMPUTERS
VMP10BK	SWITCH	获取价格	Interconnection Device,
VMP10BKX	ETC	获取价格	PATCHCORD VIDEO MIDSIZE 10' BLK
VMP10BL	SWITCH	获取价格	Interconnection Device,

与VMO650-01F相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VMO650-01F

VMO650-01F 技术参数

VMO650-01F 数据手册

与VMO650-01F相关器件

与VMO650-01F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VMO650-01F

VMO650-01F 技术参数

VMO650-01F 数据手册

与VMO650-01F相关器件

与VMO650-01F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？