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VFT30L60C-M3/4W PDF预览

VFT30L60C-M3/4W

更新时间： 2024-11-15 21:22:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 90K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VFT30L60C-M3/4W 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.73
其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：4000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VFT30L60C-M3/4W 数据手册

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VFT30L60C  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
3
2
TYPICAL APPLICATIONS  
1
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC  
converters, and reverse battery protection.  
VFT30L60C  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
MECHANICAL DATA  
Case: ITO-220AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 15 A  
60 V  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
VRRM  
commercial grade  
IFSM  
200 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF at IF = 15 A  
TJ max.  
Package  
0.45 V  
150 °C  
ITO-220AB  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Diode variation  
Dual common cathode  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VFT30L60C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
60  
30  
15  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
200  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
VAC  
10 000  
1500  
V/μs  
V
Isolation voltage from terminal to heatsink t = 1 min  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +150  
°C  
Revision: 20-Aug-15  
Document Number: 89436  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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