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VFT45-28

更新时间： 2024-11-14 22:16:07

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描述
VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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VFT45-28 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VFT45-28 数据手册

VFT45-28

VHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The VFT80-28 is Designed for

General Purpose Class B Power

Amplifier Applications up to 175 MHz.

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

.112 x 45°

Ø.125 NOM.

FULL R

FEATURES:

· P_G= 10 dB Typical at 175 MHz

· 30:1 Load VSWR Capability

· Omnigold™ Metalization System

.125

MAXIMUM RATINGS

I_D

7.0 A

60 V

MINIMUM

MAXIMUM

DIM

inches / mm

(BR)DSS

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

V_DGR

60 V

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

V_GS

P_DISS

T_J

± 20 V

100 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.8 ^OC/W

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

.240 / 6.10

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10704

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

NONE

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

BV_DSS

I_D= 100 mA

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

I_D= 25 mA

I_D= 1 A

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

g_fs

V_GS= 0 V

5.0

1.0

6.0

m A

V_GS= 20 V

V_DS= 10 V

1.0

700

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS= 28 V

V_DD= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

P_G

h _D

I_DQ= 25 mA

P_out= 45 W

F = 175 MHz

V_SWR= 30:1 AT ALL PHASE ANGLES

NO DEGRADATION IN OUTPUT POWER

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VFT45-28_07	ASI	获取价格	VHF POWER MOSFET
VFT5200	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT5200-E3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC,
VFT5200-E3-4W	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT5202-M3/4W	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220
VFT5-28	ASI	获取价格	VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode
VFT5-28_07	ASI	获取价格	VHF POWER MOSFET
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