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VFT5200

更新时间： 2024-11-15 08:13:07
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威世 - VISHAY /
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描述
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VFT5200 数据手册

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New Product  
VT5200, VFT5200, VBT5200, VIT5200  
Vishay General Semiconductor  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 (for  
TO-220AC, ITO-220AC and TO-262AA package)  
2
2
1
1
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
VT5200  
VFT5200  
PIN 1  
PIN 2  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
K
MECHANICAL DATA  
A
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB and TO-262AA  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
A
NC  
VBT5200  
K
NC  
VIT5200  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
NC  
K
K
NC  
A
A
HEATSINK  
HEATSINK  
Polarity: As marked  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
IF(AV)  
5.0 A  
200 V  
80 A  
VRRM  
IFSM  
VF at IF = 5.0 A  
TJ max.  
0.65 V  
150 °C  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VT5200  
VFT5200  
VBT5200  
VIT5200  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
VRRM  
200  
5.0  
V
A
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
EAS  
80  
30  
A
mJ  
A
Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25 °C, L = 60 mH  
Peak repetitive reverse current  
at tp = 2 μs, 1 kHz, TJ = 38 °C 2 °C  
IRRM  
0.5  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
VAC  
10 000  
1500  
V/μs  
V
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Document Number: 89176  
Revision: 09-Dec-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VFT5200-E3/4W VISHAY

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 		DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC,
VFT5200-E3-4W VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT5202-M3/4W VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220
VFT5-28 ASI

获取价格

 		VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode
VFT5-28_07 ASI

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 		VHF POWER MOSFET
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VFT540LBNN-250.0MHZ CTS

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