VFT5-28SL

更新时间： 2024-11-13 22:16:07

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ASI		晶体射频场效应晶体管放大器
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描述
VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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VFT5-28SL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	1.25 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VFT5-28SL 数据手册

VFT5-28SL

VHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The VFT5-28SL is Designed for Class

A and AB VHF Power Amplifiers

operating at frequencies up to 250 MHz.

PACKAGE STYLE .280 4L PILL

FEATURES:

· P_G= 21 dB Typical at 175 MHz

· h_D= 50% Typical at P_OUT= 5 Watts

· Omnigold™ Metalization System

ØB

ØC

MAXIMUM RATINGS

I_D

1.25 A

60 V

V_DSS

V_DGR

V_GS

60 V

MINIMUM

MAXIMUM

inches / mm

DIM

inches / mm

±40 V

.220 / 5.59

.230 / 5.84

1.055 / 26.80

.285 / 7.24

.006 / 0.15

.060 . 1.52

.130 / 3.30

P_DISS

T_J

17.5 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

10 ^OC/W

.275 / 6.99

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.118 / 3.00

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10701

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

V_(BR)DSS

I_DSS

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

V_GS= 0 V

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

V_DS= 10 V

V_GS= 10 V

I_DS= 5 mA

V_GS= 0 V

0.8

1.0

6.0

m A

I_GSS

V_GS= 20 V

I_D= 10 mA

I_D= 250 mA

V_GS(TH)

G_FS

1.0

---

110

C_iss

C_oss

C_rss

8.5

6.5

5.5

V_DS= 28 V

V_GS= 0 V

F = 1.0 MHz

P_OUT= 5 W

---

G_PS

V_DD= 28 V

I_DQ= 50 mA

h _D

F = 175 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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