5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VFT1045CBP-M3/4W
VFT1045CBP-M3/4W PDF预览

VFT1045CBP-M3/4W

更新时间： 2024-11-15 12:21:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 电池整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
4页 83K
描述
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

阅读下载

中文翻译

获取价格

VFT1045CBP-M3/4W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：5.52
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.58 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VFT1045CBP-M3/4W 数据手册

 浏览型号VFT1045CBP-M3/4W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VFT1045CBP-M3/4W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VFT1045CBP-M3/4W的Datasheet PDF文件第4页 
New Product  
VFT1045CBP  
Vishay General Semiconductor  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
for PV Solar Cell Bypass Protection  
Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A  
FEATURES  
TMBS®  
ITO-220AB  
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per  
JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
3
2
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
1
VFT1045CBP  
PIN 1  
PIN 2  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in solar cell junction box as a bypass diode for  
protection, using DC forward current without reverse bias.  
PIN 3  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: ITO-220AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
IF(AV)  
2 x 5.0 A  
45 V  
VRRM  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS compliant, and  
commercial grade  
IFSM  
100 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF at IF = 5.0 A  
TOP max.  
0.41 V  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VFT1045CBP  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
45  
10  
V
per device  
per diode  
(1)  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
IF(AV)  
A
A
5.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
100  
Isolation voltage from termal to heatsink, t = 1 min  
Operating junction and storage temperature range  
VAC  
1500  
V
TOP, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Junction temperature in DC forward current  
without reverse bias, t ≤ 1 h  
(2)  
TJ  
≤ 200  
°C  
Notes  
(1)  
With heatsink  
(2)  
Meets the requirements of IEC 61215 ed. 2 bypass diode thermal test  
Document Number: 89367  
Revision: 27-Oct-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与VFT1045CBP-M3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VFT1045CBP-M3-4W VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1045C-M3 VISHAY

获取价格

 		Low forward voltage drop, low power losses
VFT1045C-M3_15 VISHAY

获取价格

 		Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1060C VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1060C_15 VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1060C-E3 VBT1060C-E3 VISHAY

获取价格

 		Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5
VFT1060C-E3/4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1060C-M3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
VFT1060C-M3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT1080C VISHAY

获取价格

 		Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

与VFT1045CBP-M3/4W相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证