生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A | 最大漏极电流 (ID): | 5 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | O-CRFM-F4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 95 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | RADIAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
VFT15-28 | ASI | VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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VFT15-28_07 | ASI | VHF POWER MOSFET |
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VFT1943CS-50-40MHZ | CTS | Oscillator, |
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VFT2045BP | VISHAY | Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection |
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VFT2045BP-M3/4W | VISHAY | Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection |
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VFT2045C | VISHAY | Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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