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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> VBO55-16NO7
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VBO55-16NO7

更新时间： 2024-01-03 20:14:58
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 57K
描述
Single Phase Rectifier Bridge

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VBO55-16NO7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-XUFM-X11
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.6 VJESD-30 代码：R-XUFM-X11
JESD-609代码：e4最大非重复峰值正向电流：700 A
元件数量：4相数：1
端子数量：11最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：55 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VBO55-16NO7 数据手册

  
VBO 55  
IdAV = 55 A  
VRRM = 800-1600 V  
Single Phase  
Rectifier Bridge  
Preliminary data  
VRSM  
V
VRRM Types  
V
900  
800  
VBO 55-08NO7  
VBO 55-12NO7  
VBO 55-14NO7  
VBO 55-16NO7  
VBO 55-18NO7  
1300  
1500  
1700  
1900  
1200  
1400  
1600  
1800  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
IdAV ①TC = 100°C, module  
55  
A
• Package with copper base plate  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Planar passivated chips  
• Low forward voltage drop  
• 1/4" fast-on power terminals  
IFSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
750  
820  
A
A
TVJ = TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
600  
700  
A
A
VR = 0  
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
2800  
2820  
A2s  
A2s  
Applications  
• Supplies for DC power equipment  
• Input rectifiers for PWM inverter  
• Battery DC power supplies  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
2200  
2250  
A2s  
A2s  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
• Field supply for DC motors  
Advantages  
VISOL  
50/60 Hz, RMS t = 1 min  
IISOL £ 1 mA t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
• Easy to mount with two screws  
• Space and weight savings  
• Improved temperature and power  
cycling capability  
Md  
Mounting torque (M5)  
(10-32 UNF)  
typ.  
5 ± 15 %  
44 ± 15 % lb.in.  
110  
Nm  
• Small and light weight  
Weight  
g
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
;
;
TVJ = 25°C  
TVJ = TVJM  
£
£
0.5 mA  
10 mA  
VF  
IF = 150 A;  
TVJ = 25°C  
£
1.6  
V
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
0.8  
6
V
mW  
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
per diode, DC current  
per module  
1.3 K/W  
0.325 K/W  
1.6 K/W  
RthJK  
0.4 K/W  
dS  
dA  
a
Creeping distance on surface  
Creepage distance in air  
Max. allowable acceleration  
16.1 mm  
7.5 mm  
50 m/s2  
Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated  
① for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
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