VBO55-16NO7

更新时间： 2024-11-05 03:20:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		整流二极管桥式整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
1页	57K
描述
Single Phase Rectifier Bridge

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VBO55-16NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-XUFM-X11
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.6 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X11
JESD-609代码：	e4	最大非重复峰值正向电流：	700 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	11	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	55 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VBO55-16NO7 数据手册

VBO 55

I_dAV= 55 A

V_RRM= 800-1600 V

Single Phase

Rectifier Bridge

Preliminary data

V_RSM

V_RRMTypes

900

800

VBO 55-08NO7

VBO 55-12NO7

VBO 55-14NO7

VBO 55-16NO7

VBO 55-18NO7

1300

1500

1700

1900

1200

1400

1600

1800

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

I_dAV①T_C= 100°C, module

• Package with copper base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• 1/4" fast-on power terminals

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

750

820

T_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

600

700

V_R= 0

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2800

2820

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2200

2250

A²s

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

• Field supply for DC motors

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL£ 1 mA t = 1 s

2500

3000

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

M_d

Mounting torque (M5)

(10-32 UNF)

typ.

5 ± 15 %

44 ± 15 % lb.in.

110

• Small and light weight

Weight

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.5 mA

10 mA

V_F

I_F= 150 A;

T_VJ= 25°C

1.6

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.8

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode, DC current

per module

1.3 K/W

0.325 K/W

1.6 K/W

R_thJK

0.4 K/W

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

16.1 mm

7.5 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 1

中文翻译

下载PDF

与VBO55-16NO7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VBO55-18NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO65	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO65-08NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO65-12NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO65-14NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO65-16NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO65-18NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-08NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。

与VBO55-16NO7相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VBO55-16NO7

VBO55-16NO7 技术参数

VBO55-16NO7 数据手册

与VBO55-16NO7相关器件

与VBO55-16NO7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VBO55-16NO7

VBO55-16NO7 技术参数

VBO55-16NO7 数据手册

与VBO55-16NO7相关器件

与VBO55-16NO7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？