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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> VBO65-18NO7
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VBO65-18NO7

更新时间： 2024-01-04 01:37:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 502K
描述
Single Phase Rectifier Bridge

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VBO65-18NO7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-11针数：11
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.4 VJESD-30 代码：R-PUFM-X11
JESD-609代码：e4最大非重复峰值正向电流：1000 A
元件数量：4相数：1
端子数量：11最高工作温度：125 °C
最大输出电流：65 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1800 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VBO65-18NO7 数据手册

  
VBO 65  
IdAV = 65 A  
Single Phase  
VRRM = 800-1600 V  
Rectifier Bridge  
Preliminary data  
VRSM  
V
VRRM  
V
Types  
900  
800  
VBO 65-08NO7  
VBO 65-12NO7  
VBO 65-14NO7  
VBO 65-16NO7  
VBO 65-18NO7  
1300  
1500  
1700  
1900  
1200  
1400  
1600  
1800  
Symbol  
Test Conditions  
TC = 100°C, module  
Maximum Ratings  
Features  
IdAV  
¬
65  
A
• Package with copper base plate  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Planar passivated chips  
IFSM  
T
= 45°C;  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1000  
1100  
A
A
VVRJ= 0  
• Low forward voltage drop  
• 1/4" fast-on power terminals  
T
= T  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
700  
750  
A
A
VVRJ= 0 VJM  
I2t  
T
= 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
5000  
5000  
A2s  
VVRJ= 0  
A2s  
Applications  
• Supplies for DC power equipment  
• Input rectifiers for PWM inverter  
• Battery DC power supplies  
T
= T  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
2450  
2330  
A2s  
A2s  
VVRJ= 0 VJM  
TVJ  
-40...+150  
150  
°C  
°C  
°C  
• Field supply for DC motors  
TVJM  
Tstg  
-40...+125  
Advantages  
VISOL  
50/60 Hz, RMS t = 1 min  
ISOL ≤ 1 mA t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
• Easy to mount with two screws  
• Space and weight savings  
• Improved temperature and power  
cycling capability  
I
Md  
Mounting torque (M5)  
5 ± 15 %  
Nm  
(10-32 UNF)  
44 ± 15 % lb.in.  
• Small and light weight  
Weight  
typ.  
110  
g
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
V
= VRRM  
;
;
TVJ = 25°C  
TVJ = TVJM  
≤
≤
0.5 mA  
10 mA  
VRR = VRRM  
VF  
IF = 150 A;  
TVJ = 25°C  
≤
1.4  
V
V
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
0.8  
5
V
rTT0  
mΩ  
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
1.12 K/W  
0.28 K/W  
1.5 K/W  
RthJK  
per diode, DC current  
per module  
0.375 K/W  
d
aA  
Creeping distance on surface  
Creepage distance in air  
16.1 mm  
7.5 mm  
50 m/s2  
dS  
Max. allowable acceleration  
Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated  
¬ for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
F4 - 20  
1

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