VBO65-18NO7

更新时间： 2024-11-18 03:20:39

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IXYS		整流二极管桥式整流二极管局域网
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Single Phase Rectifier Bridge

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VBO65-18NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-11	针数：	11
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.4 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X11
JESD-609代码：	e4	最大非重复峰值正向电流：	1000 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	11	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	65 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1800 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VBO65-18NO7 数据手册

VBO 65

I_dAV= 65 A

Single Phase

V_RRM= 800-1600 V

Rectifier Bridge

Preliminary data

V_RSM

V_RRM

Types

900

800

VBO 65-08NO7

VBO 65-12NO7

VBO 65-14NO7

VBO 65-16NO7

VBO 65-18NO7

1300

1500

1700

1900

1200

1400

1600

1800

Symbol

Test Conditions

T_C= 100°C, module

Maximum Ratings

Features

I_dAV

• Package with copper base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

I_FSM

= 45°C;

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1000

1100

V^V_R^J= 0

• Low forward voltage drop

• 1/4" fast-on power terminals

= T

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

700

750

V^V_R^J= 0 ^VJM

I²t

= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

5000

A²s

V^V_R^J= 0

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

= T

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2450

2330

A²s

V^V_R^J= 0 ^VJM

T_VJ

-40...+150

150

°C

• Field supply for DC motors

T_VJM

T_stg

-40...+125

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

_ISOL≤ 1 mA t = 1 s

2500

3000

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

M_d

Mounting torque (M5)

5 ± 15 %

(10-32 UNF)

44 ± 15 % lb.in.

• Small and light weight

Weight

typ.

110

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

≤

0.5 mA

10 mA

V^R_R= V_RRM

V_F

I_F= 150 A;

T_VJ= 25°C

≤

1.4

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.8

r_T^T0

mΩ

R_thJC

per diode; DC current

per module

1.12 K/W

0.28 K/W

1.5 K/W

R_thJK

per diode, DC current

per module

0.375 K/W

a^A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

16.1 mm

7.5 mm

50 m/s²

d^S

Max. allowable acceleration

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

¬ for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

F4 - 20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VBO68	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-08NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO68-12NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-12NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO68-14NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-16NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-16NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO72-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO72-12NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 72A, 1200V V(RRM), Silicon,

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