VBO68-08NO7

更新时间： 2024-09-16 03:20:39

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IXYS		整流二极管桥式整流二极管局域网
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Single Phase Rectifier Bridge

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VBO68-08NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-XUFM-P4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	2.31
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.5 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-P4	最大非重复峰值正向电流：	530 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	68 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VBO68-08NO7 数据手册

VBO 68

I_dAV= 68 A

V_RRM= 800-1600 V

Single Phase Rectifier Bridge

Preliminary data

V_RSM

V_RRM

Types

900

1300

1500

1700

800

1200

1400

1600

VBO 68-08NO7

VBO 68-12NO7

VBO 68-14NO7

VBO 68-16NO7

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

I_dAV

I_FSM

①

T_C= 90°C, module

• Package with DCB ceramic

base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• Leads suitable for PC board soldering

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

530

570

_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

480

520

V_R= 0

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1400

1360

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1150

1140

A²s

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

• Field supply for DC motors

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL£ 1 mA t = 1 s

2500

3000

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

M_d

Mounting torque (M4)

typ.

1.5 - 2

14 - 18 lb.in.

• Small and light weight

Weight

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.5 mA

1.5

0.8

V_F

I_F= 80 A;

T_VJ= 25°C

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

7.5 mW

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode, DC current

per module

1.2 K/W

0.3 K/W

1.5 K/W

0.38 K/W

R_thJH

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

11.2 mm

9.7 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VBO68-12NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
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VBO68-14NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-16NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-16NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO72-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO72-12NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 72A, 1200V V(RRM), Silicon,
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