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VBO68-16NO7

更新时间： 2024-11-18 03:20:39
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IXYS /
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1页 167K
描述
Single Phase Rectifier Bridge

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VBO68-16NO7 数据手册

  
VBO 68  
IdAV = 68 A  
VRRM = 800-1600 V  
Single Phase Rectifier Bridge  
Preliminary data  
D
K
VRSM  
V
VRRM  
V
Types  
A
N
900  
1300  
1500  
1700  
800  
1200  
1400  
1600  
VBO 68-08NO7  
VBO 68-12NO7  
VBO 68-14NO7  
VBO 68-16NO7  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
IdAV  
IFSM  
①
TC = 90°C, module  
68  
A
• Package with DCB ceramic  
base plate  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Planar passivated chips  
• Low forward voltage drop  
• Leads suitable for PC board soldering  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
530  
570  
A
A
T
VJ = TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
480  
520  
A
A
VR = 0  
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1400  
1360  
A2s  
A2s  
Applications  
• Supplies for DC power equipment  
• Input rectifiers for PWM inverter  
• Battery DC power supplies  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1150  
1140  
A2s  
A2s  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
• Field supply for DC motors  
Advantages  
VISOL  
50/60 Hz, RMS t = 1 min  
IISOL £ 1 mA t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
• Easy to mount with two screws  
• Space and weight savings  
• Improved temperature and power  
cycling capability  
Md  
Mounting torque (M4)  
typ.  
1.5 - 2  
14 - 18 lb.in.  
18  
Nm  
• Small and light weight  
Weight  
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
;
;
TVJ = 25°C  
TVJ = TVJM  
£
£
0.5 mA  
3
1.5  
0.8  
mA  
VF  
IF = 80 A;  
TVJ = 25°C  
£
V
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
V
7.5 mW  
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
per diode, DC current  
per module  
1.2 K/W  
0.3 K/W  
1.5 K/W  
0.38 K/W  
RthJH  
dS  
dA  
a
Creeping distance on surface  
Creepage distance in air  
Max. allowable acceleration  
11.2 mm  
9.7 mm  
50 m/s2  
Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated  
① for resistive load at bridge output.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 1  
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与VBO68-16NO7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VBO72-08NO7 LITTELFUSE

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 		采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO72-12NO7 IXYS

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 72A, 1200V V(RRM), Silicon,
VBO72-12NO7 LITTELFUSE

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 		采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO72-16NO7 IXYS

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VBO72-16NO7 LITTELFUSE

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 		采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO72-18NO7 IXYS

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VBO78-08NO7 IXYS

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 78A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, ECOPAC-6
VBO78-08NO7 LITTELFUSE

获取价格

 		采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO78-12NO7 LITTELFUSE

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 		采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。

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