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VBO88-18NO7

更新时间： 2024-11-05 03:20:39

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描述
Single Phase Rectifier Bridge

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VBO88-18NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-XUFM-X6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X6	最大非重复峰值正向电流：	850 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	6	最大输出电流：	92 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VBO88-18NO7 数据手册

VBO 88

I_dAV= 92 A

V_RRM= 800-1800 V

Single Phase Rectifier Bridge

in ECO-PAC 2

Preliminary data

PS16

V_RSM

V_RRM

Types

~ L 9

~ K10

900

1300

1500

1700

1900

800

1200

1400

1600

1800

VBO 88-08NO7

VBO 88-12NO7

VBO 88-14NO7

VBO 88-16NO7

VBO 88-18NO7

EG 1

Pin arangement see outlines

Symbol

Conditions

T_C= 100°C, module

Maximum Ratings

Features

• Package with DCB ceramic

base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• Leads suitable for PC board soldering

I_dAV

I_FSM

①

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

900

990

_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

770

850

V_R= 0

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

4050

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

T_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2950

A²s

V_R= 0

• Field supply for DC motors

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

Advantages

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL≤ 1 mA t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque (M4)

typ.

1.5 - 2

14 - 18 lb.in.

• Small and light weight

Weight

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Symbol

I_R

Conditions

Characteristic Values

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

≤

0.5 mA

V_F

I_F= 200 A;

T_VJ= 25°C

≤

1.75

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

0.8

mΩ

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode, DC current (typ.)

per module (typ.)

0.85 K/W

0.212 K/W

1.15 K/W

0.288 K/W

R_thJH

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

11.2 mm

9.7 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

for resistive load at bridge output.

①

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 1

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VBO95-08NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 92A, 800V V(RRM), Silicon, ECOPAC-6
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VBP104FA	VISHAY	获取价格	Silicon PIN Photodiode
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