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VBO55-18NO7

更新时间： 2024-11-18 03:20:39

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描述
Single Phase Rectifier Bridge

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VBO55-18NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-XUFM-X11
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.81	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.6 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	JESD-609代码：	e4
最大非重复峰值正向电流：	700 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	11
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	55 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1800 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

VBO55-18NO7 数据手册

VBO 55

I_dAV= 55 A

V_RRM= 800-1600 V

Single Phase

Rectifier Bridge

Preliminary data

V_RSM

V_RRMTypes

900

800

VBO 55-08NO7

VBO 55-12NO7

VBO 55-14NO7

VBO 55-16NO7

VBO 55-18NO7

1300

1500

1700

1900

1200

1400

1600

1800

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

I_dAV①T_C= 100°C, module

• Package with copper base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• 1/4" fast-on power terminals

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

750

820

T_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

600

700

V_R= 0

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2800

2820

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2200

2250

A²s

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

• Field supply for DC motors

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL£ 1 mA t = 1 s

2500

3000

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

M_d

Mounting torque (M5)

(10-32 UNF)

typ.

5 ± 15 %

44 ± 15 % lb.in.

110

• Small and light weight

Weight

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.5 mA

10 mA

V_F

I_F= 150 A;

T_VJ= 25°C

1.6

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.8

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode, DC current

per module

1.3 K/W

0.325 K/W

1.6 K/W

R_thJK

0.4 K/W

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

16.1 mm

7.5 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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VBO68-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
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