5秒后页面跳转
VBO65-16NO7 PDF预览

VBO65-16NO7

更新时间: 2024-11-18 03:20:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 502K
描述
Single Phase Rectifier Bridge

VBO65-16NO7 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-11针数:11
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.75外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.4 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X11JESD-609代码:e4
最大非重复峰值正向电流:1000 A元件数量:4
相数:1端子数量:11
最高工作温度:125 °C最大输出电流:65 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1600 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

VBO65-16NO7 数据手册

  
VBO 65  
IdAV = 65 A  
Single Phase  
VRRM = 800-1600 V  
Rectifier Bridge  
Preliminary data  
VRSM  
V
VRRM  
V
Types  
900  
800  
VBO 65-08NO7  
VBO 65-12NO7  
VBO 65-14NO7  
VBO 65-16NO7  
VBO 65-18NO7  
1300  
1500  
1700  
1900  
1200  
1400  
1600  
1800  
Symbol  
Test Conditions  
TC = 100°C, module  
Maximum Ratings  
Features  
IdAV  
¬
65  
A
• Package with copper base plate  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Planar passivated chips  
IFSM  
T
= 45°C;  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1000  
1100  
A
A
VVRJ= 0  
• Low forward voltage drop  
• 1/4" fast-on power terminals  
T
= T  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
700  
750  
A
A
VVRJ= 0 VJM  
I2t  
T
= 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
5000  
5000  
A2s  
VVRJ= 0  
A2s  
Applications  
• Supplies for DC power equipment  
• Input rectifiers for PWM inverter  
• Battery DC power supplies  
T
= T  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
2450  
2330  
A2s  
A2s  
VVRJ= 0 VJM  
TVJ  
-40...+150  
150  
°C  
°C  
°C  
• Field supply for DC motors  
TVJM  
Tstg  
-40...+125  
Advantages  
VISOL  
50/60 Hz, RMS t = 1 min  
ISOL 1 mA t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
• Easy to mount with two screws  
• Space and weight savings  
• Improved temperature and power  
cycling capability  
I
Md  
Mounting torque (M5)  
5 ± 15 %  
Nm  
(10-32 UNF)  
44 ± 15 % lb.in.  
• Small and light weight  
Weight  
typ.  
110  
g
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
V
= VRRM  
;
;
TVJ = 25°C  
TVJ = TVJM  
0.5 mA  
10 mA  
VRR = VRRM  
VF  
IF = 150 A;  
TVJ = 25°C  
1.4  
V
V
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
0.8  
5
V
rTT0  
mΩ  
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
1.12 K/W  
0.28 K/W  
1.5 K/W  
RthJK  
per diode, DC current  
per module  
0.375 K/W  
d
aA  
Creeping distance on surface  
Creepage distance in air  
16.1 mm  
7.5 mm  
50 m/s2  
dS  
Max. allowable acceleration  
Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated  
¬ for resistive load at bridge output. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
F4 - 20  

与VBO65-16NO7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VBO65-18NO7 IXYS

获取价格

Single Phase Rectifier Bridge
VBO68 IXYS

获取价格

Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-08NO7 IXYS

获取价格

Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-08NO7 LITTELFUSE

获取价格

采用各种封装的二极管,用于1相桥配置中的主整流。
VBO68-12NO7 IXYS

获取价格

Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-12NO7 LITTELFUSE

获取价格

采用各种封装的二极管,用于1相桥配置中的主整流。
VBO68-14NO7 IXYS

获取价格

Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-16NO7 IXYS

获取价格

Single Phase Rectifier Bridge
VBO68-16NO7 LITTELFUSE

获取价格

采用各种封装的二极管,用于1相桥配置中的主整流。
VBO72-08NO7 LITTELFUSE

获取价格

采用各种封装的二极管,用于1相桥配置中的主整流。