V40100P-E3/45

更新时间： 2024-11-14 05:55:39

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威世 - VISHAY		整流二极管高压
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.372 V at IF = 5 A

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V40100P-E3/45 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.67 V	最大非重复峰值正向电流：	300 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	20 A
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

V40100P-E3/45 数据手册

New Product

V40100P

Vishay General Semiconductor

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V = 0.372 V at I = 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

TMBS^®

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency operation

• Low thermal resistance

• Solder dip 260 °C, 40 s

TO-247AD (TO-3P)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

PIN 2

PIN 1

PIN 3

CASE

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency inverters, switching power

supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc

converters and reverse battery protection.

PRIMARY CHARACTERISTICS

MECHANICAL DATA

I_F(AV)

2 x 20 A

V_RRM

100 V

300 A

0.60 V

150 °C

Case: TO-247AD (TO-3P)

I_FSM

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

V_Fat I_F= 20 A

T_Jmax.

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 suffix for commercial grade, meets JESD 201 class

1A whisker test

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V40100P

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

100

per device

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

per diode

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

per diode

I_FSM

300

superimposed on rated load

Peak repetitive reverse current per diode at t_p= 2 µs, 1 kHz

Voltage rate of change (rated V_R)

I_RRM

dV/dt

1.0

10 000

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 40 to + 150

°C

Document Number: 88939

Revision: 27-May-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V40100PG	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40100PG_08	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A
V40100PG-E3/45	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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