5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 整流二极管> V40120C-E3/4W
V40120C-E3/4W PDF预览

V40120C-E3/4W

更新时间： 2024-11-14 06:02:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效局域网
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

阅读下载

中文翻译

获取价格

V40120C-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.26
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.68 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：120 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

V40120C-E3/4W 数据手册

 浏览型号V40120C-E3/4W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V40120C-E3/4W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V40120C-E3/4W的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V40120C-E3/4W的Datasheet PDF文件第5页 
New Product  
V40120C, VF40120C, VB40120C & VI40120C  
Vishay General Semiconductor  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.43 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
1
1
V40120C  
VF40120C  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB  
and TO-262AA package)  
PIN 1  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
PIN 3  
PIN 3  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
TO-262AA  
K
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
3
1
2
1
VB40120C  
VI40120C  
MECHANICAL DATA  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 1  
PIN 2  
K
HEATSINK  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
PIN 3  
TO-262AA  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
IF(AV)  
2 x 20 A  
VRRM  
120 V  
250 A  
0.63 V  
150 °C  
IFSM  
VF at IF = 20 A  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL V40120C  
VF40120C VB40120C VI40120C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
120  
V
Maximum average forward rectified current  
(Fig. 1)  
per device  
per diode  
40  
20  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
250  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Document Number: 88937  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与V40120C-E3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V40120CHM3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V40120CHM3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40120CI VISHAY

获取价格

 		Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A
V40120C-M3/4W VISHAY

获取价格

 		DIODE 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V40120C-M3-4W VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40150C VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
V40150C_09 VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40150C_11 VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40150C_12 VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40150C_1205 VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier5

与V40120C-E3/4W相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证