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V40120C-E3/45

更新时间： 2024-01-15 13:52:21

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威世 - VISHAY		高压
页数	文件大小	规格书
5页	150K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V40120C-E3/45 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.84 V
最大非重复峰值正向电流：	250 A	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	20 A	最大重复峰值反向电压：	120 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	Base Number Matches：	1

V40120C-E3/45 数据手册

V40120C, VB40120C & VI40120C

New Product

Vishay General Semiconductor

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V = 0.423 V at I = 5 A

FEATURES

TO-262AA

TO-220AB

• Trench MOS Schottky Technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak

of 245 °C (for TO-263AB package)

VI40120C

V40120C

PIN 1

PIN 3

PIN 1

PIN 3

PIN 2

CASE

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds (for TO-220 &

TO-262 package)

TO-263AB

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency inverters, switching power

supplies, free-wheeling diodes, oring diode, dc-to-dc

converters and reverse battery protection.

VB40120C

PIN 1

PIN 2

HEATSINK

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB, TO-262AA & TO263AB

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 20 A

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade

V_RRM

120 V

I_FSM

250 A

V_Fat I_F= 20 A

T_jmax.

0.630 V

150 °C

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V40120C

VB40120C

VI40120C

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

120

Maximum average forward rectified current

(see Fig. 1)

per device

per diode

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

per diode

I_FSM

250

Peak repetitive reverse current per diode at t_p= 2 µs, 1 kHz

Voltage rate of change (rated V_R)

I_RRM

dv/dt

1.0

10000

V/µs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 20 to + 150

Document Number 88937

22-Aug-06

www.vishay.com

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V40120C-E3/45 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
V40120C-E3/4W	VISHAY	类似代替	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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V40120CHM3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V40120CHM3-4W	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40120CI	VISHAY	获取价格	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A
V40120C-M3/4W	VISHAY	获取价格	DIODE 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
V40120C-M3-4W	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40150C	VISHAY	获取价格	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
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