5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V35PW10 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0. |
|
| V35PW12 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0. |
|
| V35PW15 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low |
|
| V35PW15HM3/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK |
|
| V35PW15-M3/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK |
|
| V35PW22 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low |
|
| V35PW45 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V35PW45HM3/I | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 35A, 45V V(RRM), Silicon, DPAK-3/2 |
|
| V35PW45-M3/I | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V35PW60 | VISHAY |
获取价格 |
High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
