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V35PW45HM3/I

更新时间： 2024-11-20 19:55:47

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威世 - VISHAY		功效瞄准线测试二极管
页数	文件大小	规格书
5页	121K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 35A, 45V V(RRM), Silicon, DPAK-3/2

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V35PW45HM3/I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.7
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
最小击穿电压：	45 V	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.62 V
JEDEC-95代码：	TO-252AE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	260 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	35 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	45 V
最大反向电流：	2500 µA	反向测试电压：	45 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

V35PW45HM3/I 数据手册

V35PW45

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

High Current Density Surface Mount

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.27 V at I_F= 5 A

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.3 mm

TMBS^®eSMP^®Series

• Trench MOS Schottky technology

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHM3

SlimDPAK (TO-252AE)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

PIN 1

PIN 2

HEATSINK

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency DC/DC converters,

freewheeling diodes, and polarity protection applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

35 A

45 V

MECHANICAL DATA

V_RRM

Case: SlimDPAK (TO-252AE)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant

I_FSM

V_Fat I_F= 35 A (T_A= 125 °C)

T_Jmax.

260 A

0.46 V

150 °C

Base P/NHM3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

AEC-Q101 qualified

Package

SlimDPAK (TO-252AE)

Single

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Circuit configuration

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V35PW45

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

V_RRM

(1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

260

(2)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

T_J

-40 to +150

-55 to +150

°C

T_STG

Notes

(1)

With infinite heatsink

The heat generated must be less than the thermal conductivity from junction to ambient: dP_D/dT_J< 1/R_θJA

(2)

Revision: 01-Jun-17

Document Number: 87652

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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