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V23990-P828-F-PM

更新时间： 2024-01-18 19:03:08
品牌 Logo 应用领域
VINCOTECH 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 2003K
描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current

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V23990-P828-F-PM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X31Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00
风险等级：5.71外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：35 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND NTCJESD-30 代码：R-XUFM-X31
元件数量：6端子数量：31
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：373 ns
标称接通时间 (ton)：117 nsBase Number Matches：1

V23990-P828-F-PM 数据手册

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V23990ꢀP828ꢀFxꢀPM  
datasheet  
Output Inverter  
figure 5.  
IGBT  
figure 6.  
IGBT  
Typical switching energy losses  
as a function of collector current  
E = f(I c)  
Typical switching energy losses  
as a function of gate resistor  
E = f(R G)  
With an inductive load at  
With an inductive load at  
T j =  
T j =  
°C  
V
°C  
V
25/150  
600  
±15  
16  
25/150  
600  
V CE  
=
V CE  
V GE  
=
V GE  
R gon  
R goff  
=
=
V
±15  
35  
V
=
I C =  
ꢁ
ꢁ
A
=
16  
figure 7.  
IGBT  
figure 8.  
IGBT  
Typical reverse recovery energy loss  
as a function of collector current  
E rec = f(I c)  
Typical reverse recovery energy loss  
as a function of gate resistor  
E rec = f(R G)  
With an inductive load at  
With an inductive load at  
T j =  
T j =  
25/150  
600  
°C  
V
25/150  
600  
°C  
V
V CE  
V GE  
R gon  
=
V CE  
V GE  
=
=
=
±15  
16  
V
±15  
35  
V
=
I C =  
ꢁ
A
copyright Vincotech  
5
27 Oct. 2016 / Revision 3  
12345678...16

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与V23990-P828-F-PM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V23990-P828-FY-PM VINCOTECH

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 		Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem
V23990-P829-F08-3-PM VINCOTECH

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