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V23990-P828-F-PM

更新时间： 2024-01-28 06:06:32
品牌 Logo 应用领域
VINCOTECH 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 2003K
描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current

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V23990-P828-F-PM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X31Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00
风险等级：5.71外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：35 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND NTCJESD-30 代码：R-XUFM-X31
元件数量：6端子数量：31
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：373 ns
标称接通时间 (ton)：117 nsBase Number Matches：1

V23990-P828-F-PM 数据手册

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V23990ꢀP828ꢀFxꢀPM  
datasheet  
Characteristic Values  
Conditions  
Value  
Typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
V r [V] I C [A]  
V GE [V]  
V CE [V] I F [A]  
V GS [V]  
T j [°C]  
Min  
Max  
V DS [V] I D [A]  
Inverter Switch  
Gate emitter threshold voltage  
Collectorꢀemitter saturation voltage  
Collectorꢀemitter cutꢀoff current incl. Diode  
Gateꢀemitter leakage current  
Integrated Gate resistor  
Turnꢀon delay time  
V GE(th)  
V CEsat  
I CES  
I GES  
R gint  
t d(on)  
t r  
V CE = V GE  
0,0012  
35  
25  
5
5,8  
6,5  
2,3  
V
V
25  
150  
1,3  
1,92  
2,39  
15  
0
1200  
0
25  
25  
0,015  
200  
mA  
nA  
ꢁ
20  
none  
25  
150  
25  
150  
25  
150  
25  
150  
25  
150  
25  
91  
94  
19  
Rise time  
23  
ns  
204  
264  
72  
109  
2,02  
3,09  
1,76  
2,81  
t d(off)  
t f  
Turnꢀoff delay time  
R goff = 16 ꢁ  
R gon = 16 ꢁ  
±15  
600  
35  
Fall time  
E on  
Turnꢀon energy loss  
mWs  
pF  
E off  
C ies  
C oss  
C rss  
Q G  
Turnꢀoff energy loss  
150  
Input capacitance  
1950  
155  
115  
180  
Output capacitance  
f
= 1 MHz  
0
25  
25  
25  
Reverse transfer capacitance  
Gate charge  
±15  
35  
nC  
Thermal foil  
R th(j-s)  
thickness=76um  
Kunze foil KUꢀALF5  
Thermal resistance junction to sink  
0,60  
K/W  
Inverter Diode  
25  
150  
25  
150  
25  
150  
25  
150  
25  
150  
25  
1,35  
1,80  
1,77  
48  
2,35  
V F  
I RRM  
Diode forward voltage  
35  
35  
V
A
Peak reverse recovery current  
Reverse recovery time  
53  
251  
353  
3,56  
6,93  
2000  
390  
1,38  
2,83  
t rr  
ns  
Q rr  
R gon = 16 ꢁ  
Reverse recovered charge  
Peak rate of fall of recovery current  
Reverse recovered energy  
±15  
600  
µC  
( di rf/dt )max  
E rec  
A/µs  
mWs  
150  
Thermal foil  
R th(j-s)  
thickness=76um  
Kunze foil KUꢀALF5  
Thermal resistance junction to sink  
0,76  
K/W  
Thermistor  
Rated resistance  
Deviation of R 100  
R 25  
D R /R  
P
Tol. ±5%  
25  
4,2  
4,7  
2,6  
5,8  
kꢁ  
%/K  
mW  
K
R 100 = 435 ꢁ  
100  
25  
Power dissipation given EpcosꢀTyp  
Bꢀvalue  
210  
3530  
B (25/100)  
Tol. ±3%  
25  
copyright Vincotech  
3
27 Oct. 2016 / Revision 3  
1234567...16

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与V23990-P828-F-PM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V23990-P828-FY-PM VINCOTECH

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