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UZXMHC3A01T8TA

更新时间： 2024-01-06 19:45:47

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	285K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.12ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SM-8, 8 PIN

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UZXMHC3A01T8TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2.7 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14.5 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UZXMHC3A01T8TA 数据手册

ZXMHC3A01T8

COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE

SUMMARY

N-Channel = V

P-Channel = V

= 30V : R

= -30V : R

= 0.12 ; I = 3.1A

(BR)DSS

DS(on)

= 0.21 ; I = -2.3A

DESCRIPTION

This new generation of trench MOSFETs from Zetex

utilizes a unique structure that com bines the benefits of

low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage,

power m anagem ent applications.

SM8

FEATURES

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

D , D

3 4

• Single SM-8 surface m ount package

APPLICATIONS

• Single phase DC fan m otor drive

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

PINOUT

ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TC

7”

12m m

1,000 units

4,000 units

13”

DEVICE MARKING

• ZXMH

C3A01

Top View

DRAFT ISSUE E - APRIL 2004

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7...10

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与UZXMHC3A01T8TA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UZXMHC3A01T8TC	DIODES	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.12ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel	获取价格
UZXMHC3A01T8TC	ZETEX	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.12ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel	获取价格
UZXMHC6A07T8TA	ZETEX	Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel,	获取价格
UZXMHC6A07T8TC	ZETEX	Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel,	获取价格
UZXMHN6A07T8TA	ZETEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
UZXMHN6A07T8TC	ZETEX	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格