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US5L12

更新时间： 2024-01-09 13:37:19

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罗姆 - ROHM		晶体二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	81K
描述
General purpose transistor (isolated transistor and diode)

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US5L12 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	270
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	320 MHz

US5L12 数据手册

US5L12

Transistors

General purpose transistor

(isolated transistor and diode)

US5L12

A 2SD2675 and a RB461F are housed independently in a TUMT5 package.

zExternal dimensions (Unit : mm)

zApplications

DC / DC converter

Motor driver

(4)

(3)

(2)

(1)

(5)

0.2

1.7

2.1

0.2

1pin mark

zFeatures

1) Tr : Low V^CE(sat)

Di : Low V^F

0.15Max.

2) Small package

ROHM :TUMT5 Abbreviated symbol : L12

zStructure

Silicon epitaxial planar transistor

Schottky barrier diode

zEquivalent circuit

(5)

(4)

Di2

Tr1

(1)

(2)

(3)

zPackaging specifications

Type

Package

US5L12

TUMT5

L12

Marking

Code

Basic ordering unit(pieces)

3000

Rev.A

1/4

12 3 4 5

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