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UPD45128841G5-A80L-9JF PDF预览

UPD45128841G5-A80L-9JF

更新时间: 2024-01-31 12:03:18
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
92页 669K
描述
128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL

UPD45128841G5-A80L-9JF 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.19
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD45128841G5-A80L-9JF 数据手册

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µPD45128441, 45128841, 45128163  
[ PD45128163]  
µ
54-pin Plastic TSOP (II) (10.16mm (400))  
2M words 16 bits 4 banks  
×
×
V
DQ0  
CC  
1
2
3
4
5
6
7
8
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
Vss  
DQ15  
VssQ  
DQ14  
DQ13  
VccQ  
DQ12  
DQ11  
VssQ  
DQ10  
DQ9  
VccQ  
DQ8  
Vss  
V
CC  
Q
DQ1  
DQ2  
V
SS  
Q
DQ3  
DQ4  
V
CC  
Q
9
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
V
LDQM  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
CC  
NC  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
BA0(A13)  
BA1(A12)  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
Vss  
V
CC  
A0 to A11 Note  
BA0(A13), BA1(A12): Bank select  
: Address inputs  
DQ0 to DQ15  
CLK  
: Data inputs / outputs  
: Clock input  
CKE  
: Clock enable  
/CS  
: Chip select  
/RAS  
: Row address strobe  
: Column address strobe  
: Write enable  
/CAS  
/WE  
LDQM  
UDQM  
VCC  
: Lower DQ mask enable  
: Upper DQ mask enable  
: Supply voltage  
Note  
SS  
V
A0 to A11 : Row address inputs  
: Ground  
VCCQ  
: Supply voltage for DQ  
: Ground for DQ  
A0 to A8 : Column address inputs  
SS  
V
Q
NC  
: No connection  
6
Data Sheet E0031N30  

与UPD45128841G5-A80L-9JF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UPD45128841G5-A80LI-9JF ELPIDA Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, MOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54

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UPD45128841G5-A80LT-9JF ETC SDRAM|4X4MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC

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UPD45128841G5-A80T-9JF ETC SDRAM|4X4MX8|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC

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UPD4516161AG5-A10-9NF NEC Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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UPD4516161AG5-A10B-9NF ELPIDA Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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UPD4516161AG5-A10L-9NF NEC Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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