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UPD4516161G5-A75-PC

更新时间: 2024-01-10 00:34:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

UPD4516161G5-A75-PC 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.66
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G50长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD4516161G5-A75-PC 数据手册

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