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UPD4516421AG5-A80L-7JF

更新时间: 2024-02-26 01:00:14
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
84页 5440K
描述
x4 SDRAM

UPD4516421AG5-A80L-7JF 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:6 ns最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:4端子数量:44
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.15 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UPD4516421AG5-A80L-7JF 数据手册

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