5秒后页面跳转
UPD4516821AG5-A80-7JF PDF预览

UPD4516821AG5-A80-7JF

更新时间: 2024-01-29 13:08:42
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
84页 5440K
描述
x8 SDRAM

UPD4516821AG5-A80-7JF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
端子数量:44字数:2097152 words
字数代码:2000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.16 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UPD4516821AG5-A80-7JF 数据手册

 浏览型号UPD4516821AG5-A80-7JF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPD4516821AG5-A80-7JF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UPD4516821AG5-A80-7JF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UPD4516821AG5-A80-7JF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UPD4516821AG5-A80-7JF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UPD4516821AG5-A80-7JF的Datasheet PDF文件第7页 

与UPD4516821AG5-A80-7JF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UPD4516821AG5-A80-9NF ELPIDA Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, MOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

获取价格

UPD4516821AG5-A80L-7JF ETC x8 SDRAM

获取价格

UPD4516821AG5-A80L-9NF ELPIDA Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, MOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

获取价格

UPD4516821G5-A10 ELPIDA Synchronous DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

获取价格

UPD4516821G5-A10-7JF ETC x8 SDRAM

获取价格

UPD4516821G5-A12-7JF ETC x8 SDRAM

获取价格