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UPD4516161G5-A13-7JF

更新时间: 2024-02-20 06:20:32
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
92页 5228K
描述
x16 SDRAM

UPD4516161G5-A13-7JF 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2,
针数:50Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.54Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:12 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G50
长度:20.95 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:50字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD4516161G5-A13-7JF 数据手册

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