Datasheet > UPD4516161AG5-A10B-9NF

UPD4516161AG5-A10B-9NF

更新时间： 2024-01-02 20:39:08

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
88页	1099K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

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UPD4516161AG5-A10B-9NF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.51
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G50	长度：	20.86 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm

UPD4516161AG5-A10B-9NF 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD4516421A, 4516821A, 4516161A for Rev.P

16M-bit Synchronous DRAM

2-banks, LVTTL

Description

The µPD4516421A, 4516821A, 4516161A are high-speed 16,777,216-bit synchronous dynamic random-access

memories, organized as 2,097,152 × 4 × 2, 1,048,576 × 8 × 2, 524,288 × 16 × 2 (word × bit × bank), respectively.

The synchronous DRAMs achieved high-speed data transfer using the pipeline architecture.

All inputs and outputs are synchronized with the positive edge of the clock.

The synchronous DRAMs are compatible with Low Voltage TTL (LVTTL).

These products are packaged in 44-pin TSOP (II) (× 4, × 8) and 50-pin TSOP (II) (× 16).

Features

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Dual internal banks controlled by A11(Bank Select)

• Byte control (×16) by LDQM and UDQM

• Programmable Wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable burst length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable /CAS latency (2 and 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• ×4, ×8, ×16 organization

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible inputs and outputs

• 2,048 refresh cycles / 32 ms

• Burst termination by Burst stop command and Precharge command

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for

availability and additional information.

Document No. E0122N10 (Ver.1.0)

(Previous No. M12939EJ3V0DS00)

Date Published May 2001 CP (K)

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

Printed in Japan

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与UPD4516161AG5-A10B-9NF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPD4516161AG5-A10L-9NF	NEC	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格
UPD4516161AG5-A12-9NF	NEC	Synchronous DRAM, 1MX16, 8ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格
UPD4516161AG5-A12L-9NF	NEC	Synchronous DRAM, 1MX16, 8ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格
UPD4516161AG5-A80-9NF	ETC	x16 SDRAM	获取价格
UPD4516161AG5-A80L-9NF	NEC	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格
UPD4516161G5-A10	ELPIDA	Synchronous DRAM, 1MX16, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格

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