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UPD4516161AG5-A10-9NF

更新时间: 2024-02-14 09:31:04
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
86页 3449K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

UPD4516161AG5-A10-9NF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2针数:50
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.34
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G50长度:20.86 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD4516161AG5-A10-9NF 数据手册

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