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UPD4516161G5-A12-7JF

更新时间: 2024-02-17 02:46:43
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
85页 4065K
描述
x16 SDRAM

UPD4516161G5-A12-7JF 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2,
针数:50Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.27Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:9 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH备用内存宽度:8
JESD-30 代码:R-PDSO-G50长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD4516161G5-A12-7JF 数据手册

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