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UPD43256BGW-B10X-9JL

更新时间： 2024-11-26 22:08:47
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 127K
描述
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

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UPD43256BGW-B10X-9JL 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns其他特性：BATTERY BACKUP
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：11.8 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

UPD43256BGW-B10X-9JL 数据手册

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DATA SHEET  
MOS INTEGRATED CIRCUIT  
PD43256B-X  
µ
256K-BIT CMOS STATIC RAM  
32K-WORD BY 8-BIT  
EXTENDED TEMPERATURE OPERATION  
Description  
The µPD43256B-X is a high speed, low power, and 262,144 bits (32,768 words by 8 bits) CMOS static RAM.  
The µPD43256B-X is an extended-operating-temperature version of the µPD43256B (X version : TA = –25 to +85  
°C). And A and B versions are low voltage operations. Battery backup is available.  
The µPD43256B-X is packed in 28-pin plastic TSOP (I) (8 x 13.4 mm).  
Features  
• 32,768 words by 8 bits organization  
• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)  
• Operating ambient temperature: TA = –25 to +85 °C  
• Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)  
• Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.)  
• /OE input for easy application  
Part number  
Access time  
ns (MAX.)  
Operating supply Operating ambient  
Supply current  
At standby  
voltage  
V
temperature  
°C  
At operating  
mA (MAX.)  
At data retention  
µA (MAX.) Note1  
µA (MAX.)  
•
µPD43256B-xxX  
µPD43256B-AxxX  
70, 85  
4.5 to 5.5  
3.0 to 5.5  
2.7 to 5.5  
−25 to +85  
45  
50  
2
85Note2, 100, 120Note2  
µPD43256B-BxxXNote2 100, 120Note2, 150Note2  
40  
Notes 1. TA ≤ 40 °C, VCC = 3.0 V  
2. 100 s (MAX.) (VCC = 4.5 to 5.5 V)  
Version X  
This Data sheet can be applied to the version X. Each version is identified with its lot number. Letter X in the fifth  
character position in a lot number signifies version X.  
JAPAN  
D43256B-X  
Lot number  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
The mark ★ shows major revised points.  
Document No. M11012EJ4V0DSJ1 (4th edition)  
Date Published December 2000 NS CP (K)  
Printed in Japan  
©
1995  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD43256BGW-B10X-9JL-A NEC

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 		256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD43256BGW-B10X-9KL NEC

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 		256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
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 		256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD43256BGW-B12 RENESAS

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 		32KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28
UPD43256BGW-B12-9JL NEC

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 		256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
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