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UPD43256BGW-B12-A

更新时间: 2024-11-25 06:45:35
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 279K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28

UPD43256BGW-B12-A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.07
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.2 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
宽度:8 mmBase Number Matches:1

UPD43256BGW-B12-A 数据手册

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