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UPD43256BGW-B12X-9JL

更新时间： 2024-11-26 22:08:55
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
20页 127K
描述
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

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UPD43256BGW-B12X-9JL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1,
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.07最长访问时间：120 ns
其他特性：BATTERY BACKUPJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：11.8 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.55 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

UPD43256BGW-B12X-9JL 数据手册

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DATA SHEET  
MOS INTEGRATED CIRCUIT  
PD43256B-X  
µ
256K-BIT CMOS STATIC RAM  
32K-WORD BY 8-BIT  
EXTENDED TEMPERATURE OPERATION  
Description  
The µPD43256B-X is a high speed, low power, and 262,144 bits (32,768 words by 8 bits) CMOS static RAM.  
The µPD43256B-X is an extended-operating-temperature version of the µPD43256B (X version : TA = –25 to +85  
°C). And A and B versions are low voltage operations. Battery backup is available.  
The µPD43256B-X is packed in 28-pin plastic TSOP (I) (8 x 13.4 mm).  
Features  
• 32,768 words by 8 bits organization  
• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)  
• Operating ambient temperature: TA = –25 to +85 °C  
• Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)  
• Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.)  
• /OE input for easy application  
Part number  
Access time  
ns (MAX.)  
Operating supply Operating ambient  
Supply current  
At standby  
voltage  
V
temperature  
°C  
At operating  
mA (MAX.)  
At data retention  
µA (MAX.) Note1  
µA (MAX.)  
•
µPD43256B-xxX  
µPD43256B-AxxX  
70, 85  
4.5 to 5.5  
3.0 to 5.5  
2.7 to 5.5  
−25 to +85  
45  
50  
2
85Note2, 100, 120Note2  
µPD43256B-BxxXNote2 100, 120Note2, 150Note2  
40  
Notes 1. TA ≤ 40 °C, VCC = 3.0 V  
2. 100 s (MAX.) (VCC = 4.5 to 5.5 V)  
Version X  
This Data sheet can be applied to the version X. Each version is identified with its lot number. Letter X in the fifth  
character position in a lot number signifies version X.  
JAPAN  
D43256B-X  
Lot number  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
The mark ★ shows major revised points.  
Document No. M11012EJ4V0DSJ1 (4th edition)  
Date Published December 2000 NS CP (K)  
Printed in Japan  
©
1995  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD43256BGW-B12X-9JL-A NEC

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 		256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
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 		256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
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 		256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD43256BGW-B15 RENESAS

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 		Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28
UPD43256BGW-B15-9JL NEC

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 		256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
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