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UPD43256BGW-B12X-9JL-A

更新时间： 2024-11-24 03:14:59

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日电电子 - NEC		/
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20页	172K
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256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

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UPD43256BGW-B12X-9JL-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	8 X 13.40 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-28	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	最长访问时间：	120 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e3/e6
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

UPD43256BGW-B12X-9JL-A 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

μPD43256B-X

256K-BIT CMOS STATIC RAM

32K-WORD BY 8-BIT

EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

Description

The μPD43256B-X is a high speed, low power, and 262,144 bits (32,768 words by 8 bits) CMOS static RAM.

The μPD43256B-X is an extended-operating-temperature version of the μPD43256B (X version : TA = –25 to +85°C).

And A and B versions are low voltage operations. Battery backup is available.

The μPD43256B-X is packed in 28-pin PLASTIC TSOP (I) (8 x 13.4 mm).

Features

• 32,768 words by 8 bits organization

• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)

• Operating ambient temperature: T^A= –25 to +85 °C

• Low voltage operation (A version: V^CC= 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)

• Low V^CCdata retention: 2.0 V (MIN.)

• /OE input for easy application

Part number

Access time

Operating supply Operating ambient

Supply current

ns (MAX.)

voltage

temperature

°C

At operating

mA (MAX.)

At standby

At data retention

μA (MAX.) ^Note1

μA (MAX.)

μPD43256B-xxX

−25 to +85

70, 85

4.5 to 5.5

3.0 to 5.5

2.7 to 5.5

85^Note2, 100, 120^Note2

100, 120^Note2, 150^Note2

μPD43256B-AxxX

μPD43256B-BxxX^Note2

Notes 1. TA ≤ 40 °C, VCC = 3.0 V

2. 100 ns (MAX.) (V^CC= 4.5 to 5.5 V)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M11012EJ6V0DS00 (6th edition)

Date Published June 2006 NS CP (K)

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7...20

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UPD43256BGW-B15	RENESAS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28
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