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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP1, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.07 |
| 最长访问时间： | 85 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 11.8 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.2 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD43256BGW-B12-9JL | NEC |
获取价格 |
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT |
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| UPD43256BGW-B12-9JL-A | NEC |
获取价格 |
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT |
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| UPD43256BGW-B12-9KL | NEC |
获取价格 |
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT |
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| UPD43256BGW-B12-9KL-A | NEC |
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256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT |
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| UPD43256BGW-B12-A | RENESAS |
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32KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28 |
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| UPD43256BGW-B12X-9JL | NEC |
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256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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| UPD43256BGW-B12X-9JL-A | NEC |
获取价格 |
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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| UPD43256BGW-B12X-9KL | NEC |
获取价格 |
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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| UPD43256BGW-B12X-9KL-A | NEC |
获取价格 |
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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| UPD43256BGW-B15 | RENESAS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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