UPD43256BCZ-85L

更新时间： 2024-11-04 22:07:59

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日电电子 - NEC		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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24页	174K
描述
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT

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UPD43256BCZ-85L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	BATTERY BACKUP	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.72 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

UPD43256BCZ-85L 数据手册

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD43256B

256K-BIT CMOS STATIC RAM

32K-WORD BY 8-BIT

Description

The µPD43256B is a high speed, low power, and 262, 144 bits (32,768 words by 8 bits) CMOS static RAM.

Battery backup is available (L, LL, A, and B versions). And A and B versions are wide voltage operations.

The µPD43256B is packed in 28-pin plastic DIP, 28-pin plastic SOP and 28-pin plastic TSOP (I).

Features

•

32,768 words by 8 bits organization

Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)

Wide voltage range (A version: V^CC= 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)

2 V data retention

OE input for easy application

Operating

supply voltage

Operating

temperature

°C

Standby

supply current

µA (MAX.)

Data retention

supply current^{Note 1}

µA (MAX.)

Access time

ns (MAX.)

Part number

µPD43256B-L

µPD43256B-LL

µPD43256B-A

70, 85

4.5 to 5.5

0 to 70

Note 2

85, 100

, 120

3.0 to 5.5

2.7 to 5.5

Note 2

µPD43256B-B

100, 120, 150

Notes 1. TA ≤ 40 ˚C, VCC = 3 V

2. Access time : 85 ns (MAX.) (V^CC= 4.5 to 5.5 V)

Version X and P

This data sheet can be applied to the version X and P. Each version is identified with its lot number. Letter X in

the fifth character position in a lot number signifies version X, letter P, version P.

JAPAN

D43256B

Lot number

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. M10770EJ9V0DS00 (9th edition)

Date Published May 1997 N

The mark

shows major revised points.

Printed in Japan

1990, 1993, 1994

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD43256BCZ-85LL	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43256BCZ-85X	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD43256BCZ-85Y	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD43256BGU-10X	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD43256BGU-10Y	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD43256BGU-55L	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD43256BGU-55LL	ETC	获取价格	x8 SRAM
UPD43256BGU-70L	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43256BGU-70L-A	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43256BGU-70L-E2	NEC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28

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