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UPA880TSFB-T3

更新时间： 2024-09-13 15:56:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	69K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, 1007, SUPER LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA880TSFB-T3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.04 A	基于收集器的最大容量：	0.4 pF
集电极-发射极最大电压：	5 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	18000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA880TSFB-T3 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NPN SiGe RF TWIN TRANSISTOR

µPA880TS

NPN SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (1007 PACKAGE)

FEATURES

•

2 different built-in transistors (NESG2046M33, NESG2107M33)

Q1: High gain SiGe transistor

f^T= 18 GHz TYP., S21e²= 13 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 15 mA, f = 2 GHz

Q2: Low phase distortion SiGe transistor suited for OSC applications

f^T= 10 GHz TYP., S21e²= 9 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

6-pin super lead-less minimold (1007 package)

•

BUILT-IN TRANSISTORS

3-pin super lead-less minimold part No.

NESG2046M33

NESG2107M33

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

µPA880TS

µPA880TS-T3

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10462EJ01V0DS (1st edition)

Date Published January 2004 CP(K)

Printed in Japan



NEC Compound Semiconductor Devices 2004

12 3 4 5 6

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与UPA880TSFB-T3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA880TSFB-T3-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN,
UPA880TS-T3	NEC	获取价格	NPN SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS) IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (10
UPA891TC	ETC	获取价格	Discrete
UPA891TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA891TC-FB-A	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA891TC-T1FB	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA891TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA891TC-T1FB-A	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTR
UPA891TD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 5.5V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-363VAR
UPA891TD-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS M

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