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UPA844TC-T1

更新时间： 2024-02-17 01:29:05

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
28页	139K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 3.3V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP

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UPA844TC-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.8 pF	集电极-发射极最大电压：	3 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	11000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA844TC-T1 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

µPA844TC

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

FEATURES

•

Ideal for 3.6 to 4.2 GHz oscillation application

2 different built-in transistors (2SC5436, 2SC5668)

Q1: 9.0 GHz f^Thigh-gain transistor

f^T= 9.0 GHz TYP., S^21e²= 7.5 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 10 mA, f = 2 GHz

Q2: 21.0 GHz f^Thigh-gain transistor

f^T= 21.0 GHz TYP., S^21e²= 11.5 dB TYP. @ V^CE= 2 V, I^C= 20 mA, f = 2 GHz

Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package

•

BUILT-IN TRANSISTORS

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5436

2SC5668

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

Supplying Form

• 8 mm wide embossed taping

µPA844TC

µPA844TC-T1

• Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q2 Emitter), Pin 4 (Q2 Base)

face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.

Unit sample quantity is 50 pcs.

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P15280EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published February 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

2001

12 3 4 5 6 7...28

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与UPA844TC-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA844TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA844TC-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA845TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, THIN, UL
UPA845TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, THIN, UL
UPA846TC	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP
UPA846TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
UPA846TC-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP
UPA846TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
UPA846TD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP
UPA846TD-T3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP

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