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UPA845TC-FB

更新时间： 2024-02-23 03:04:00

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
28页	138K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA845TC-FB 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	0.3 pF
集电极-发射极最大电压：	3.3 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	21000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA845TC-FB 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

µPA845TC

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

FEATURES

•

Ideal for 3.6 to 4.2 GHz oscillation application

2 different built-in transistors (2SC5603, 2SC5668)

Q1: 13.5 GHz f^Thigh-gain transistor

f^T= 13.5 GHz TYP., S^21e²= 10.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 5 mA, f = 2 GHz

Q2: 21.0 GHz f^Thigh-gain transistor

f^T= 21.0 GHz TYP., S^21e²= 11.5 dB TYP. @ V^CE= 2 V, I^C= 20 mA, f = 2 GHz

Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package

•

BUILT-IN TRANSISTORS

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5603

2SC5668

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

Supplying Form

• 8 mm wide embossed taping

µPA845TC

µPA845TC-T1

• Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q2 Emitter), Pin 4 (Q2 Base)

face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.

Unit sample quantity is 50 pcs.

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P15281EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published February 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

2001

12 3 4 5 6 7...28

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与UPA845TC-FB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA845TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, THIN, UL
UPA846TC	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP
UPA846TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
UPA846TC-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP
UPA846TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SU
UPA846TD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP
UPA846TD-T3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP
UPA848TD	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 3.3V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| SOT-363VAR
UPA848TD-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, S Band, Silicon, NPN, LEADLESS
UPA848TD-T3FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS

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