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UPA843TD

更新时间： 2024-02-10 05:54:23

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
32页	156K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 210MA I(C) \| TSOP

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UPA843TD 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	0.5 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	13500 MHz	Base Number Matches：	1

UPA843TD 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

µPA843TD

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

•

Low noise operation

6-pin lead-less minimold package

2 different built-in transistors (2SC5603, 2SC5600)

Q1: Built-in high gain transistor

f^T= 13.5 GHz TYP., S^21e²= 10.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 5 mA, f = 2 GHz

Q2: Built-in low phase distortion transistor suited for OSC operation

f^T= 5.0 GHz TYP., S^21e²= 4.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 5 mA, f = 2 GHz

BUILT-IN TRANSISTORS

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5603

2SC5600

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

µPA843TD

µPA843TD-T3

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.

Unit sample quantity is 50 pcs.

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P15270EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published January 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

2001

12 3 4 5 6 7...32

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与UPA843TD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA843TD-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS
UPA843TD-T3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 210MA I(C) \| TSOP
UPA843TD-T3FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS
UPA844TC	ETC	获取价格	Discrete
UPA844TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA844TC-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA844TC-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 3.3V V(BR)CEO \| 35MA I(C) \| TSOP
UPA844TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA844TC-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA845TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, C Band, Silicon, NPN, THIN, UL

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