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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.31 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 40 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA672T-A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| UPA672T-A | RENESAS |
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100mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| UPA672T-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363 |
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| UPA672T-T1-A | RENESAS |
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N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING |
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| UPA672T-T1-AT | RENESAS |
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暂无描述 |
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| UPA672T-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363 |
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| UPA672T-T2-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363 |
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| UPA675T | NEC |
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N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| UPA675T-A | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| UPA675T-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,16V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363 |
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