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UPA675T-A

更新时间： 2024-10-30 19:44:43

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日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	49K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-88, 6 PIN

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UPA675T-A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-88
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	16 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA675T-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA675T

N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR HIGH SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

DESCRIPTION

The µ PA675T is an N-channel vertical MOS FET. Because it

can be driven by a voltage as low as 1.5 V and it is not

necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an

actuator for low-current portable systems such as headphone

stereos and video cameras.

+0.1

-0

+0.1

-0.05

0.2

0.15

0 to 0.1

FEATURES

• Two MOS FET circuits in package the same size as SC-70

• Automatic mounting supported

0.7

0.65 0.65

• Gate can be driven by a 1.5 V power source

• Because of its high input impedance, there’s no need to

consider a drive current

0.9 ±0.1

1.3

2.0 ±0.2

• Since bias resistance can be omitted, the number of

components required can be reduced

PIN CONNECTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

µPA675T ^Note

PACKAGE

SC-88 (SSP)

1. Source 1 (S1)

2. Gate 1 (G1)

3. Drain 2 (D2)

4. Source 2 (S2)

5. Gate 2 (G2)

6. Drain 1 (D1)

Note Marking: SA

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (Tc = 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note

V^DSS

V^GSS

ID(DC)

I^D(pulse)

P^T

±7.0

±0.1

±0.2

0.2

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

Tch

150

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150 °C

Note PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published May 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

G15454EJ1V0DS00 (1st edition)

2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA675T-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,16V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363
UPA675T-T2	RENESAS	获取价格	UPA675T-T2
UPA675T-T2-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,16V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363
UPA677TB	RENESAS	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA677TB	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA677TB-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
UPA677TB-T1-A	RENESAS	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA678TB	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA678TB-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA679TB	NEC	获取价格	N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

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