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UPA2660T1R-E2-AX

更新时间： 2024-11-20 12:47:15
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瑞萨 - RENESAS /
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7页 268K
描述
DUAL N-CHANNEL MOSFET 20 V, 4.0 A, 42 m

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UPA2660T1R-E2-AX 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：HUSON
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.73最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e4
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.3 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

UPA2660T1R-E2-AX 数据手册

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Data Sheet  
μPA2660T1R  
DUAL N-CHANNEL MOSFET  
R07DS0999EJ0100  
Rev.1.00  
Jan 16, 2013  
20 V, 4.0 A, 42 mΩ  
Description  
The μPA2660T1R is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors for switching application.  
This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications  
such as power switch of portable machine and so on.  
Features  
•
•
•
DS MAXIMUM RATINGS 20V(TA = 25°C)  
2.5V drive available  
Low on-state resistance  
⎯ RDS (on)1 = 42 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.0 A)  
⎯ RDS (on)2 = 62 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 2.0 A)  
Built-in gate protection diode  
•
•
Lead-free and Halogen-free  
6pinHUSON2020(Dual)  
Ordering Information  
Part Number  
μPA2660T1R-E2-AX∗  
Package  
1
6pinHUSON2020(Dual)  
Note: ∗1.Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode and other parts.)  
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)  
Item  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
Ratings  
20  
Unit  
V
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC)  
±12  
V
±4.0  
A
1
Drain Current (pulse) ∗  
±16  
A
2
Total Power Dissipation (1 unit, 5 s) ∗  
Total Power Dissipation (2 units, 5 s) ∗  
1.5  
W
W
°C  
°C  
2
PT2  
2.3  
Channel Temperature  
Tch  
150  
Storage Temperature  
TSTG  
–55 to +150  
Notes: ∗1. PW≤10 μs, Duty Cycle≤1%  
∗2. Mounted on glass epoxy board of 25.4mm x 25.4mm x 0.8mmt  
Caution: This product is electrostatic-sensitive device due to low ESD capability and should be handled  
with caution for electrostatic discharge.  
VESD = ±400V MIN. ( C = 100pF, R = 1.5KΩ )  
R07DS0999EJ0100 Rev.1.00  
Jan 16, 2013  
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