UPA2700GR-A

更新时间： 2024-10-14 13:00:31

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	64K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8

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UPA2700GR-A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	雪崩能效等级（Eas）：	28.9 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	17 A	最大漏源导通电阻：	0.0084 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA2700GR-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA2700GR

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The µPA2700GR is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for DC/DC converters and power management

applications of notebook computers.

1, 2, 3

; Source

; Gate

5, 6, 7, 8 ; Drain

FEATURES

• Low on-state resistance

6.0 ±0.3

4.4

R^DS(on)1= 5.3 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 9.0 A)

R^DS(on)2= 7.3 mΩ MAX. (V^GS= 4.5 V, I^D= 9.0 A)

• Low C^iss: C^iss= 2600 pF TYP. (V^DS= 10 V, V^GS= 0 V)

• Small and surface mount package (Power SOP8)

5.37 MAX.

0.8

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 MAX.

ORDERING INFORMATION

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

PART NUMBER

PACKAGE

µPA2700GR

Power SOP8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^A= 25°C) ^Note2

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

EQUIVALENT CIRCUIT

±17

Drain

±68

2.0

°C

Body

Channel Temperature

T^ch

150

Diode

Gate

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note3

T^stg

–55 to + 150

I^AS

Single Avalanche Energy ^Note3

Source

E^AS

28.9

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm²x 2.2 mm

3. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 15 V, R^G= 25 Ω, L = 100 µH, V^GS= 20 → 0 V

Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately

degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible,

and quickly dissipate it once, when it has occurred.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. G15672EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published May 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UPA2700TP-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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