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UNR92AFG

更新时间： 2024-11-26 19:22:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	501K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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UNR92AFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.12
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

UNR92AFG 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNR92AFG

Silicon NPN epitaxial planar type

For digital circuits

 Features

 Package

 Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment

 Contribute to low power consumption

ꢀCode

SSMini3-F3

ꢀPin Name

1: Base

2: Emitter

3: Collector

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

Unit

 Marking Symbol: KD

°C

 Internal Connection

Total power dissipation

P_T

125

R₁

Junction temperature

T_j

125

R₂

Storage temperature

stg

–55 to +125

°C

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

V_CBOI_C= 10 mA, I_E= 0

V_CEOI_C= 2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

0.1

0.5

1.0

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA



V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 1 kW

4.9

Output voltage low-level

V_CC= 5 V, V_B= 2.5 V, R_L= 1 kW

0.2

+30%

0.57

Input resistance

—30%

4.7

0.47

150



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

0.37

Transition frequency

V_CB= 10 V, I_E= —2 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: October 2007

SJH00254AED

12 3 4

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