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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR9110G | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| UNR9110J | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR9110J(UN9110J) | ETC |
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Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR9110J|UN9110J | ETC |
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Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR9110Q | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
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| UNR9110R | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
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| UNR9110S | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
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| UNR9111 | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
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| UNR9111G | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| UNR9111J | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
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