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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR9113J | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR9113J(UN9113J) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR9113J|UN9113J | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR9114 | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
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| UNR9114G | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| UNR9114J | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR9114J(UN9114J) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR9114J|UN9114J | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR9115J | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type |
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| UNR9115J(UN9115J) | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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