UNR9115J

更新时间： 2024-11-20 22:24:31

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松下 - PANASONIC		/
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描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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UNR9115J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

UNR9115J 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR911xJ Series (UN911xJ Series)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

1.60

–0.03

+0.03

For digital circuits

0.12

–0.01

1.00 0.05

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

• SS-Mini type package, allowing automatic insertion through tape

packing.

0.27 0.02

(0.50)(0.50)

■ Resistance by Part Number

5˚

Marking Symbol (R₁)

(R₂)



• UNR9110J (UN9110J) 6L

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

• UNR9111J (UN9111J) 6A

• UNR9112J (UN9112J) 6B

• UNR9113J (UN9113J) 6C

• UNR9114J (UN9114J) 6D

• UNR9115J (UN9115J) 6E

• UNR9116J (UN9116J) 6F

• UNR9117J (UN9117J) 6H

• UNR9118J (UN9118J) 6I

• UNR9119J (UN9119J) 6K

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



5.1 kΩ

10 kΩ

100 kΩ



47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-89

SSMini3-F1 Package

Internal Connection

R₁

• UNR911AJ

• UNR911BJ

• UNR911CJ

100 kΩ



R₂

• UNR911DJ (UN911DJ) 6M

• UNR911EJ (UN911EJ) 6N

• UNR911FJ (UN911FJ) 6O

• UNR911HJ (UN911HJ) 6P

• UNR911LJ (UN911LJ) 6Q

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

• UNR911MJ

• UNR911NJ

• UNR911TJ (UN911TJ) EY

• UNR911VJ FC

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

T_j

−100

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

125

T_stg

−55 to +125

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: January 2004

SJH00038BED

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR9115J(UN9115J)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR9115J\|UN9115J	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR9115Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UNR9115R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UNR9115S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UNR9116J	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
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